GMR結(jié)構(gòu)中的磁變量
在GMR結(jié)構(gòu)中的磁取向,有一個(gè)變量磁取向由磁盤(pán)的磁場(chǎng)。當(dāng)固定和固定的膠片都平行的磁取向,軟磁合金通過(guò)與反鐵磁接觸傳導(dǎo)電子可能穿越每部電影很長(zhǎng)一段距離墊片。記錄產(chǎn)生的磁場(chǎng)磁盤(pán)表面上的數(shù)據(jù)位旋轉(zhuǎn)自由膜的方向,從而電子由于頻繁移動(dòng)電子碰撞。磁取向自由NiFe膜內(nèi)的波動(dòng)大GMR傳感器比MR傳感器要多信號(hào)幅度變化是原來(lái)適合高面密度。GMR磁頭現(xiàn)已投入生產(chǎn),可用于服務(wù)器,臺(tái)式機(jī)和移動(dòng)設(shè)備的大容量HDD計(jì)算機(jī)平臺(tái)。采用新硬盤(pán)的設(shè)計(jì)GMR負(fù)責(zé)人很可能會(huì)繼續(xù)保持60%的增加在不久的將來(lái)會(huì)導(dǎo)致面密度增加硬盤(pán)容量逐漸增加。性能圖6指示數(shù)據(jù)速率,速率為哪些數(shù)據(jù)寫(xiě)入和讀取轉(zhuǎn)盤(pán),隨著時(shí)間的推移顯著增加步伐。這是因?yàn)殡S著以及磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)速度。今天的服務(wù)器產(chǎn)品有里面數(shù)據(jù)速率過(guò)20兆字節(jié)/秒,并且預(yù)計(jì)到2000年至少會(huì)翻一番。電子數(shù)據(jù)通道的性能將過(guò)500 MHz以允許這些非常的數(shù)據(jù)速率,需要的CMOS處理光刻線(xiàn)寬接近0.25微米數(shù)據(jù)速率的這種趨勢(shì)緊密決定了HDD通信的接口速率用電腦。高數(shù)據(jù)速率的新趨勢(shì)從數(shù)據(jù)通道到臂放大器和控制器芯片的電子設(shè)備將被合并具有的電子集成,以減少電路芯片數(shù),從而電子產(chǎn)品價(jià)格和功耗及性能
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